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BCW67BCW68

PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain)

PNP Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BCW 65, BCW 66 (NPN)

文件:134.68 Kbytes 页数:6 Pages

SIEMENS

西门子

BCW67B-DB

SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

Features • BVCEO > -45V • IC = -800mA high Continuous Collector Current • Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:306.01 Kbytes 页数:2 Pages

DIODES

美台半导体

BCW67BR-5W

SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

Features • BVCEO > -45V • IC = -800mA high Continuous Collector Current • Low Saturation Voltage VCE(sat)

文件:306.01 Kbytes 页数:2 Pages

DIODES

美台半导体

BCW67B

AF 通用晶体管

PNP硅AF晶体管 • 适用于一般 AF 应用\n• 低集电极-发射极饱和电压\n• 无铅(符合 RoHS 标准)封装\n• 符合 AEC Q101 要求;

Infineon

英飞凌

BCW67BE6327HTSA1

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 32V 0.8A SOT23

Infineon

英飞凌

技术参数

  • hFE:

    160 to 400

  • IBMmax:

    200 mA

  • ICBOmax:

    20 nA

  • ICmax:

    800 mA

  • IC:

    800 mA

  • ICMmax:

    1000 mA

  • Ptotmax:

    330 mW

  • VCBOmax:

    45 V

  • VCE(sat)max:

    0.7 V

  • VCEOmax:

    32 V

  • VCE:

    1 V

  • VEBOmax:

    5 V

  • Mounting:

    SMT

  • Package:

    P-SOT23-3-3

  • Polarity:

    PNP (Single)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BCW67B供应商 更新时间2025-10-4 14:14:00