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BCW67B数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BCW67B

参数属性

BCW67B 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 32V 0.8A SOT23

功能描述

General Purpose Transistor
TRANS PNP 32V 0.8A SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 10:26:00

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BCW67B规格书详情

描述 Description

PNP Silicon AF Transistors

特性 Features

·For general AF applications
·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Complementary types: BCW66... (NPN)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101

应用 Application

·For general AF applications

简介

BCW67B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCW67B晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BCW67B

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Polarity 

    :PNP (Single)

  • VCEO max

    :32.0V

  • Ptot max

    :330.0mW

  • hFE min max

    :160.0 400.0

  • IC max

    :800.0mA

  • IC 

    :800.0mA 

  • VCE 

    :1.0V 

  • VCBO max

    :45.0V

  • VEBO max

    :5.0V

  • ICM max

    :1000.0mA

  • ICBO max

    :20.0nA

  • fT 

    :200.0MHz 

  • VCE(sat) max

    :0.7V

  • Mounting 

    :SMT

  • IBM max

    :200.0mA

  • Package 

    :P-SOT23-3-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
2511
标准封装
7000
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