BCW66KG数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
BCW66KG |
| 参数属性 | BCW66KG 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 |
| 功能描述 | General Purpose Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-16 10:26:00 |
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BCW66KG规格书详情
描述 Description
NPN Silicon AF Transistors
特性 Features
·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Complementary type: BCW68 (PNP)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q102
应用 Application
·For general AF applications
简介
BCW66KG属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BCW66KG晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BCW66KG
- 生产厂家
：Infineon
- Polarity
：NPN (Single)
- VCEO max
：45.0V
- Ptot max
：500.0mW
- hFE min max
：160.0 400.0
- IC max
：800.0mA
- IC
：800.0mA
- VCE
：1.0V
- VCBO max
：75.0V
- VEBO max
：5.0V
- ICM max
：1000.0mA
- ICBO max
：20.0nA
- fT
：170.0MHz
- VCE(sat) max
：0.45V
- Mounting
：SMT
- IBM max
：200.0mA
- Package
：SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
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询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT-23 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
INFINEON |
ROHS |
56520 |
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询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
SOT23-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3526 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
79000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
