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BCW66G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BCW66G

参数属性

BCW66G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 45V 1A SOT23-3

功能描述

75V,0.8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

数据手册

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更新时间

2025-8-16 10:26:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BCW66G

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • V(BR)CEO(V)min.

    :45

  • IC(A)

    :0.8

  • hFEmin.

    :160

  • hFEmax.

    :400

  • VCE (sat)(V)

    :0.7

  • IB(mA)

    :50

  • fT(MHz)min.

    :170

  • PD(W)max.

    :0.33

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-65

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :双极型晶体管

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