BCW66G中文资料75V,0.8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
BCW66G |
| 参数属性 | BCW66G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 45V 1A SOT23-3 |
| 功能描述 | 75V,0.8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 19:36:00 |
| 人工找货 | BCW66G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 制造商编号
：BCW66G
- 生产厂家
：Galaxy
- AEC Qualified
：NO
- Pb Free
：YES
- Halide free
：YES
- Reach
：YES
- RoHS
：YES
- Marketing Status
：Active
- Polarity
：NPN
- V(BR)CEO(V)min.
：45
- IC(A)
：0.8
- hFEmin.
：160
- hFEmax.
：400
- VCE (sat)(V)
：0.7
- IB(mA)
：50
- fT(MHz)min.
：170
- PD(W)max.
：0.33
- TJ(°C)max.
：150
- TJ(°C)min.
：-65
- ECCN(US)
：EAR99
- Category
：双极型晶体管
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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