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BCW67中文资料PNP Silicon AF Transistors数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BCW67

参数属性

BCW67 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 32V 0.8A SOT23

功能描述

PNP Silicon AF Transistors
TRANS PNP 32V 0.8A SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-20 16:56:00

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BCW67规格书详情

描述 Description

PNP Silicon AF Transistors
• For general AF applications
• High current gain
• Low collector-emitter saturation voltage
• Complementary types: BCW66... (NPN)
• Pb-free (RoHS compliant) package
• Qualified according AEC Q101

应用 Application

• High current gain
• Low collector-emitter saturation voltage
• Complementary types: BCW66... (NPN)
• Pb-free (RoHS compliant) package
• Qualified according AEC Q101

简介

BCW67属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由Infineon制造生产的BCW67晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BCW67CE6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT23

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 0.8A SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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