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BCW67_07	文件：79.34 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors 文件：79.34 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCW67_15	文件：328.78 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR 文件：328.78 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BCW67A	文件：328.78 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR 文件：328.78 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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BCW67C	文件：328.78 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR 文件：328.78 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BCW67C	文件：79.34 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors 文件：79.34 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCW67	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Silicon AF Transistors PNP Silicon AF Transistors• For general AF applications\n• High current gain\n• Low collector-emitter saturation voltage\n• Complementary types: BCW66... (NPN)\n• Pb-free (RoHS compliant) package\n• Qualified according AEC Q101	Infineon 英飞凌	Infineon
BCW67B	文件：300 bytes Page：1 Pages	AF 通用晶体管 PNP硅AF晶体管 • 适用于一般 AF 应用\n• 低集电极-发射极饱和电压\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装\n• 符合 AEC Q101 要求;	Infineon 英飞凌	Infineon

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晶体管资料

型号：
BCW67(DA,DB,DC)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
微型（Min）_低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX17,3CK10E,
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
45
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.35

技术参数

hFE：
160 to 400
IBMmax：
200 mA
ICBOmax：
20 nA
ICmax：
800 mA
IC：
800 mA
ICMmax：
1000 mA
Ptotmax：
330 mW
VCBOmax：
45 V
VCE(sat)max：
0.7 V
VCEOmax：
32 V
VCE：
1 V
VEBOmax：
5 V
Mounting：
SMT
Package：
P-SOT23-3-3
Polarity：
PNP (Single)

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