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BCW65	文件：50.44 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistor NPN Silicon AF Transistor • For general AF applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCW67, BCW68 (PNP) 文件：50.44 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCW65	文件：328.77 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCW65 and BCW66 Series types are NPN Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLO 文件：328.77 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BCW65	文件：57.42 Kbytes Page：2 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：57.42 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BCW65	文件：181.85 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and re 文件：181.85 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BCW65	文件：216.45 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier FEATURES ● For general AF appilications. ● High current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. ● Complementary types:BCW67,BCW68(PNP) APPLICATIONS ● General purpose medium power amplifier. ● Switching appilication. 文件：216.45 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BCW65	文件：42.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistors Features ● For general AF applications. ● High current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. 文件：42.1 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCW65	文件：134.58 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) NPN Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BCW 67, BCW 68 (PNP) 文件：134.58 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCW65	文件：57.42 Kbytes Page：2 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 文件：57.42 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BCW65	文件：628.33 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：628.33 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BCW65A	文件：216.45 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier FEATURES ● For general AF appilications. ● High current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. ● Complementary types:BCW67,BCW68(PNP) APPLICATIONS ● General purpose medium power amplifier. ● Switching appilication. 文件：216.45 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

晶体管资料

型号：
BCW65(EA,EB,EC)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
微型（Min）_低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX19,3DK40B,
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.35

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
NPN
V(BR)CEO(V)min.：
60
IC(A)：
0.8
hFEmin.：
100
hFEmax.：
250
VCE (sat)(V)：
0.7
IB(mA)：
50
fT(MHz)min.：
170
PD(W)max.：
0.33
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-65
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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