| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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长电SOT-23 |
890000 |
24+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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ON(安森美)SOT-23-3 |
4525 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
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8年
留言
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Infineon/英飞凌SOT23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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8年
留言
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ONSEMI/安森美 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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2年
留言
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CJ/长晶SOT-23 |
20000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
54558 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
20000 |
25+ |
原装 |
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10年
留言
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INFINEONSOT-23 |
6000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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9年
留言
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ADSOT223 |
3000 |
25+ |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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17年
留言
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INFSOT-23 |
66000 |
24+ |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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10年
留言
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INFINEONSOP8 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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6年
留言
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长电SOT-23 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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3年
留言
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INFINEONSOT-23 |
7000 |
23+ |
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14年
留言
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INFINEONSOT-23 |
6000 |
26+ |
原装现货 |
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5年
留言
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INFINEONSOT-23 |
96000 |
25+ |
公司大量原装现货,欢迎来电 |
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5年
留言
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INFINEONSOT-23 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
BCW65采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BCW65CLT1G价格
BCW65CLT1G价格:¥0.0989品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的BCW65CLT1G多少钱,想知道BCW65CLT1G价格是多少?参考价:¥0.0989。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BCW65CLT1G批发价格及采购报价,BCW65CLT1G销售排行榜及行情走势,BCW65CLT1G报价。
BCW65中文资料Alldatasheet PDF
更多BCW65制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
BCW65A制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Infineon Technologies AG
BCW65AL功能描述:BJT
BCW65ALR功能描述:BJT
BCW65ALT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW65ALT1D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor
BCW65ALT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW65ALT1G_09制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor
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BCW65ATA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
























