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BCW33	文件：85.9 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose applications at collector currents to 300mA. • Sourced from process 07. 文件：85.9 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BCW33	文件：42.36 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistors in a plastic SOT23 package. PNP complements: BCW29 and BCW30. FEATURES • Low current (100 mA) • Low voltage (32 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：42.36 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BCW33	文件：27.31 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 文件：27.31 Kbytes 页数：1 Pages	Samsung 三星	Samsung
BCW33	文件：83.11 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SOT-23 Formed SMD Package N–P–N transistors 文件：83.11 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BCW33	文件：180.15 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23(TO-236) • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：180.15 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BCW33	文件：119.39 Kbytes Page：6 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistors in a plastic SOT23 package. PNP complements: BCW29 and BCW30. FEATURES • Low current (100 mA) • Low voltage (32 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 文件：119.39 Kbytes 页数：6 Pages	恩XP	恩XP
BCW33	文件：39.59 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistors ■ Features ● Low current (100 mA) ● Low voltage (32 V). ● PNP complements: BCW29 and BCW30. 文件：39.59 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCW33	文件：318.26 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D3；Package：SOT23；NPN general purpose transistors FEATURES •Low current (100 mA) •Low voltage (32 V). APPLICATIONS •General purpose switching and amplification. DESCRIPTION NPN transistors in a plastic SOT23 package. PNP complements: BCW29 and BCW30. 文件：318.26 Kbytes 页数：7 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCW33	文件：1.0143 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：1.0143 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCW33	文件：923.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：923.69 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
BCW33(D3)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
微型（Min）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW60,BCW7,2BCX70,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.15

产品属性

产品编号：
BCW33
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3

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更多BCW33供应商更新时间2025-12-24 9:05:00

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