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BCW33

NEXPERIA/安世SOT-23

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BCW33

NEXPERIA/安世SOT-23

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BCW33,215

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BCW33LT1G

ONSOT23

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BCW33T116

ROHM/罗姆半导体SMD

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专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十

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BCW33,215

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原装正品

深圳市河锋鑫科技有限公司

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BCW33LT1G

ON/安森美SOT-23

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深圳市创新迹电子有限公司

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BCW33R

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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BCW33

恩XPN/A

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上海意淼电子科技有限公司

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BCW33

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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BCW33

恩XPSOT-23

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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BCW33

恩XPSOT-23

43000

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原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市赛美科科技有限公司

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BCW33

ROHMSOT23

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深圳市威雅利发展有限公司

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BCW33

NationalSOT-23

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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BCW33

恩XPSOT23

8850

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

深圳市达恩科技有限公司

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BCW33

NexperiaNA

3039

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进口原装正品优势供应

深圳市科芯源微电子有限公司

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BCW33

PHISOT-23

120

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深圳市昌和盛利电子有限公司

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BCW33

ROHMSOT23

11092

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BCW33,215价格

BCW33,215价格：￥0.0882品牌：恩XP

生产厂家品牌为恩XP的BCW33,215多少钱，想知道BCW33,215价格是多少？参考价：￥0.0882。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BCW33,215批发价格及采购报价，BCW33,215销售排行榜及行情走势，BCW33,215报价。

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BCW33功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW33 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW33,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW33_Q功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW33CSM制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1

BCW33L功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23

BCW33LR功能描述:BJT

BCW33LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW33LT1/D功能描述:General Purpose Transistor NPN

BCW33LT1D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor

产品属性

  • 产品编号：

    BCW33

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    带盒（TB）

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    250mV @ 500µA，10mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    420 @ 2mA，5V

  • 频率 - 跃迁：

    200MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商器件封装：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3

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