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BCV26	文件：49.51 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES * Low saturation voltage COMPLEMENTARY TYPE - BCV26 - BCV27 BCV46 - BCV47 文件：49.51 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BCV26	文件：36.39 Kbytes Page：4 Pages	PNP Darlington Transistor PNP Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61. 文件：36.39 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BCV26	文件：111.16 Kbytes Page：5 Pages	PNP Darlington Transistor Description This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 800 mA. Sourced from Process 61. 文件：111.16 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCV26	文件：43.89 Kbytes Page：8 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNP Darlington transistor in a SOT23 plastic package. NPN complements: BCV27 and BCV47. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 60 V) • Very high DC current gain (min. 10000). APPLICATIONS • Where very high amplification is required. 文件：43.89 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BCV26	文件：49.55 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors PNP Silicon Darlington Transistors • For general AF applications • High collector current • High current gain • Complementary types: BCV27, BCV47 (NPN) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：49.55 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCV26	文件：122.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNP Darlington transistor in a SOT23 plastic package. NPN complements: BCV27 and BCV47. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 60 V) • Very high DC current gain (min. 10000). APPLICATIONS • Where very high amplification is required. 文件：122.64 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BCV26	文件：130.229 Kbytes Page：2 Pages	PNP Darlington Transistors PNP Darlington Transistors for preamplifier input applications 文件：130.229 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
BCV26	文件：141.95 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current) PNP Silicon Darlington Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Complementary types: BCV 27, BCV 47 (NPN) 文件：141.95 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCV26	文件：318.76 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FD；Package：SOT23；PNP Darlington transistors FEATURES •High current (max. 500 mA) •Low voltage (max. 60 V) •Very high DC current gain (min. 10000). APPLICATIONS •Where very high amplification is required. DESCRIPTION PNP Darlington transistor in a SOT23 plastic package. NPN complements: BCV27 and BCV47. 文件：318.76 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCV26	文件：51.22 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES * Low saturation voltage COMPLEMENTARY TYPE BCV26 - BCV27 BCV46 - BCV47 PARTMARKING DETAILS BCV26 - ZFD BCV46 - ZFE 文件：51.22 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

晶体管资料

型号：
BCV26
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCV46,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
β>20000
图片代号：
H-15
vtest：
40
htest：
200000000
atest：
0.5
wtest：
0.36

产品属性

产品编号：
BCV26
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
220MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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