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BCV26_15

Surface Mount Darlington Si-Epi-Planar Transistors

文件:106.81 Kbytes 页数:2 Pages

Diotec

德欧泰克

BCV26

PNP 达林顿晶体管

该器件设计用于要求极高电流增益(电流达800 mA)的应用。 采用工艺61设计。

ONSEMI

安森美半导体

BCV26

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

BCV26,235

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO236AB

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BCV26_L99Z

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    BCV26

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    220MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

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更多BCV26供应商 更新时间2025-10-10 15:01:00