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BFP196	文件：60.94 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications) •Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationssystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP196	文件：79.39 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz •Pb-free(RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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BFP196	文件：557.21 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP196W	文件：79.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz •Pb-free(RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP196W	文件：60.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP196W	文件：83.26 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP196W	文件：552.02 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP196W	文件：281.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP. @VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz •HighGain ︱S21︱2=18dBTYP. @VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobust deviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFP196WN	文件：644.65 Kbytes Page：19 Pages	LownoisesiliconbipolarRFtransistor Productdescription •NPNsiliconplanarepitaxialtransistorin4-pindual-emitterSOT343packageforlownoiseandlowdistortionwidebandamplifiers.ThisRFtransistorbenefitsfromInfineonlong-termexperienceinRFcomponentsandcombinesease-of-usetostablevolumesproduction,atbenchm	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
BCR196T
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
PNP Silicon Digital Transistor

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