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BCP5416Q	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BCP5416QTA	文件：395.23 Kbytes Page：8 Pages	Marking：BCP5416；Package：SOT223；NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features •BVCEO>45V&80V •IC=1AContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BCP5416TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features •BVCEO>45V,60V&80V •IC=1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=2APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BCP5416H6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 1A SOT223-4	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP5416H6433XTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 1A SOT223-4	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP5416QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

产品属性

产品编号：
BCP5416QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223-3
描述：
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

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更多BCP5416供应商更新时间2025-7-26 14:00:00

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