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BCP49	文件：49.85 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors NPN Silicon Darlington Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Complementary types: BCP28/48 (PNP) 文件：49.85 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP49	文件：241.76 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 1.5 W • Plastic case SOT-223 • Weight approx. 0.04 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：241.76 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BCP49	文件：153.14 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current High current gain) NPN Silicon Darlington Transistors ● For general AF applications ● High collector current ● High current gain ● Complementary types: BCP 28/48 (PNP) 文件：153.14 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCP49	文件：74.01 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors 文件：74.01 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP49_07	文件：74.01 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors 文件：74.01 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP49	文件：300 bytes Page：1 Pages	达林顿管	Infineon 英飞凌	Infineon
BCP49H6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223-4	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP49H6359XTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223-4	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCP49H6419XTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223-4	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BCP49
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1.5W
放大倍数：
β=10000
图片代号：
H-99
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
1.5

技术参数

Polarity ：
NPN (Single)
VCEO max：
60.0V
Ptot max：
1500.0mW
hFE min：
10000.0
IC (max)：
100.0mA (100.0mA)
VCE ：
5.0V
VCBO max：
80.0V
VEBO max：
10.0V
ICM max：
800.0mA
ICBO max：
100.0nA
fT ：
200.0MHz

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