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BCP49分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

BCP49

参数属性

BCP49 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223-4

功能描述

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

241.76 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

DIOTEC

中文名称

德欧泰克

网址

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数据手册

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更新时间

2026-3-10 18:44:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BCP49

  • 别名:

    BCP49三极管、BCP49晶体管、BCP49晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    功率放大 (L)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍数:

    β=10000

  • 图片代号:

    H-99

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.8

  • wtest:

    1.5

BCP49规格书详情

• Power dissipation 1.5 W

• Plastic case SOT-223

• Weight approx. 0.04 g

• Plastic material has UL classification 94V-0

• Standard packaging taped and reeled

产品属性

  • 产品编号:

    BCP49H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT223-4-10

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT223-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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