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BCM846BSH-Q中文资料65 V, 100 mA NPN/NPN matched double transistor数据手册Nexperia规格书
BCM846BSH-Q规格书详情
描述 Description
NPN/NPN matched double transistor in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP/PNP complement: BCM856BSH-Q
特性 Features
• Low collector capacitance
• Low collector-emitter saturation voltage
• Current gain matching
• Base-emitter voltage matching
• Drop-in replacement for standard double transistors
• No mutual interference between the transistors
• High-temperature applications up to 175 °C
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
• Current mirror
• Differential amplifier
技术参数
- 制造商编号
：BCM846BSH-Q
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSSOP6
- Size (mm)
：2.1 x 1.25 x 0.95
- Polarity
：NPN
- VCEO [max] (V)
：65
- IC [max] (mA)
：100
- hFE [min]
：200
- hFE [max]
：450
- hFE1 / hFE2 [min]
：0.95
- VBE1 / VBE2 [max] (mV)
：2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
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