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BXMF1008	文件：150.81 Kbytes Page：1 Pages	FrequencyMultiplier(x4,x8)	APITECH API Technologies Corp	APITECH
BXMP1008	文件：64.75 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
BXMP1008	文件：65.69 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	APITECH API Technologies Corp	APITECH
BXMP1008PM	文件：98.77 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	APITECH API Technologies Corp	APITECH
C1008	文件：149.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR LOWFREQUENCYAMPLIFIERMEDIUMSPEEDSWITCHING	KISEMICONDUCTOR Kwang Myoung I.S. CO.,LTD	KISEMICONDUCTOR
CCFH1008	文件：33.78 Kbytes Page：1 Pages	CCFH1008WIREWOUNDCOIL	AITCOMPONENTS AIT Components Ltd.	AITCOMPONENTS
CCI-1008	文件：287.09 Kbytes Page：7 Pages	SMDCeramicChipInductors,CCISeries Feature: ThistypeofMiniatureSMDCeramicChipInductorisspecially designedfortheneedsoftoday’shighfrequencyrelated product.TheseproductsdeliververyhighSRFandalso excellentQfactor.Withthenon-magneticcoilformit’sassure utmosttemperaturestability,predictabilitya	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CEM1008	文件：492.96 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,2.8A,RDS(ON)=125mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM1008SL	文件：711.75 Kbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,2.9A,RDS(ON)=120mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RDS(ON)=130mW@VGS=5V. RDS(ON)=145mW@VGS=3V. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree. Applicati	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CFL1008C	文件：209.52 Kbytes Page：4 Pages	CERAMICCHIPINDUCTOR-RoHS	FENGJUIFENGJUI TECHNOLOGY CO., LTD. 峰瑞科技峰瑞科技有限公司	FENGJUI

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