BC859C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BC859C |
| 参数属性 | BC859C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 |
| 功能描述 | PNP Silicon AF Transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
866.73 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 11:02:00 |
| 人工找货 | BC859C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC859C规格书详情
BC859C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的BC859C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
PNP Silicon AF Transistor
• For AF input stages and driver applications
• High current gain
• Low collector-emitter saturation voltage
• Low noise between 30 hz and 15 kHz
• Complementary types:
BC847...-BC850... (NPN)
• Pb-free (RoHS compliant) package
• Qualified according AEC Q1011)
产品属性
更多- 产品编号：
BC859CE6327HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
250MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
PG-SOT23
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
SOT-23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
INF |
23+ |
SOT23 |
16042 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SOT-23 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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DIODES/美台 |
2447 |
SOT23 |
100500 |
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恩XP |
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SOT23 |
7823 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
25000 |
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Nexperia/安世 |
23+ |
SOT-23-3 |
7300 |
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询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT23 |
50000 |
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