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BC859W	文件：330.54 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BF859	文件：67.15 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors IntegratedCircuits	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF859	文件：42.8 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNtransistorsinaTO-202plasticpackage. AnA-versionwithe-b-cpinninginsteadofe-c-bisavailableonrequest. APPLICATIONS •Foruseinvideooutputstagesofblackandwhiteandcolourtelevisionreceivers.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF859	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BLV859	文件：126.05 Kbytes Page：16 Pages	UHFlinearpush-pullpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanartransistorwithtwosectionsinpush-pullconfiguration.ThedeviceisencapsulatedinaSOT262B4-leadrectangularflangepackage,withtwoceramiccaps.ItdeliversaPosync=20Winclass-Aoperationat860MHzandasupplyvoltageof25V. FEATURES •	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLV859	文件：18.79 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLV859isDesignedforTelevisionBandIV&VApplicationsupto860MHz. FEATURES: •CommonEmitter •PG=10dBat150W/860MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI

详细参数

型号：
BC859BMTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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