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BC858C	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC858C	文件：95.23 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC858C	文件：269.83 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846-BC848) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC858C	文件：97.57 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE65/45/30VoltsPOWER225mW FEATURES •GeneralPurposeAmplifierApplications •NPNEpitaxialSilicon,PlanarDesign •CollectorCurrentIC=-100mA •Complimentary(PNP)Devices:BC846/BC847/BC848/BC849Series •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC858C	文件：202.38 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA). ●Lowvoltage.. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC858C	文件：88.23 Kbytes Page：3 Pages	0.2WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC858C	文件：456.27 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC858C	文件：165.1 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
BC858C	文件：119.84 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC858C	文件：1.0279 Mbytes Page：6 Pages	PNPDualGeneralPurposeTransistors PNPDualGeneralPurposeTransistors PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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产品属性

产品编号：
BC858BMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

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