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BC858BDW1T1	文件：106.29 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC856BDW1T1=3B BC857BDW1T1=3F BC857CDW1T1=3G	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC858BDW1T1	文件：469.23 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
BC858BF	文件：40.8 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNPtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. NPNcomplements:BC846F,BC847FandBC848Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BC858BF	文件：165.44 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistor PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC847BF,BC848BFBC849BF,BC850BF(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858B-HF	文件：163.09 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor RoHSDevice HalogenFree Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -Powerdissipation PCM:0.25W(@TA=25°C) -Lowcurrent.(max.100mA) -Collector-basevoltage VCBO:BC856=-80V BC857=-50V BC858=-30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC858BL	文件：830.81 Kbytes Page：9 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS PNP SILICON DESCRIPTION The BC856857858859ALBL/CLareavailablein SOT23package FEATURES ⚫MoistureSensitivityLevel:1 ⚫ESDRatingHumanBodyModel:>4000V MachineModel:>400 V ⚫AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC858BL3	文件：136.98 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon AF Transistors PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30hzand15kHz •Complementarytypes:BC846...-BC850...(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858BLT1	文件：249.88 Kbytes Page：8 Pages	CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC858BLT1	文件：211.86 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BC858BLT1	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
250
VCEO [max] (V)：
-30
IC [max] (mA)：
-100
hFE [min]：
220
hFE [max]：
475
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
Y

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中天科工半导体（深圳）有限公司	BC858B	NEXPERIA/安世	25+	SOT23	600000	NEXPERIA/安世全新特价BC858B即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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