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BC858C	文件：218.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846,BC847,BC848,BC849,BC850(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858C	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC858C	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC858C	文件：95.23 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC858C	文件：269.83 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846-BC848) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC858C	文件：97.57 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE65/45/30VoltsPOWER225mW FEATURES •GeneralPurposeAmplifierApplications •NPNEpitaxialSilicon,PlanarDesign •CollectorCurrentIC=-100mA •Complimentary(PNP)Devices:BC846/BC847/BC848/BC849Series •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC858C	文件：202.38 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA). ●Lowvoltage.. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC858C	文件：88.23 Kbytes Page：3 Pages	0.2WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC858C	文件：456.27 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC858C	文件：165.1 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) Features •PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON

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产品属性

产品编号：
BC858B-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2.2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

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更多BC858B-HF供应商更新时间2025-5-28 19:08:00

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