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BC857S	文件：849.35 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857S	文件：851.49 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor Features PowerdissipationPCM:0.3W(Tamp.=25°C) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V Operating&StoragejunctionTemperatureTj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC857S	文件：476 Kbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors300mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Multi-chipTransistor •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityL	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857S	文件：3.09571 Mbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:300mW(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-200mA Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC857S	文件：173.57 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailableBC847S. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●ForLowpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC857S	文件：1.35172 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●ForAFinputstagesanddriverapplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC857S	文件：854.75 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857S	文件：179.68 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857S	文件：1.48003 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●Twotransistorsinonepackage ●Reducesnumberofcomponentsandboardspace ●Nomutualinterferencebetweenthetransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC857S	文件：180.47 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec

产品属性

产品编号：
BC857CW-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323

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更多BC857CW-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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