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BC857CDW1T1中文资料Transistors数据手册Willas规格书
技术参数
- 型号:
BC857CDW1T1
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
176 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
原封装 |
29823 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
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24+ |
N/A |
76000 |
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ON |
16+ |
原厂封装 |
10000 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON/安森美 |
25+ |
SMD |
8880 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON/安森美 |
22+ |
SOT-363 |
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ON/安森美 |
23+ |
SC-88-6-EUT |
18000 |
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