BC857CDW1数据手册ONSEMI中文资料规格书
BC857CDW1规格书详情
描述 Description
The Dual PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-363/SC-88, which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• Device Marking:BC856BDW1T1 = 3BBC857BDW1T1 = 3FBC857CDW1T1 = 3GBC858BDW1T1 = 3KBC858CDW1T1 = 3L
• Pb-Free Packages are Available
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
技术参数
- 制造商编号
：BC857CDW1
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：Dual PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.3
- IC Cont. (A)
：0.1
- VCEO Min (V)
：45
- VCBO (V)
：50
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：0.7
- VBE(on) (V)
：0.6
- hFE Min
：420
- hFE Max
：800
- fT Min (MHz)
：100
- PTM Max (W)
：0.38
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
76000 |
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询价 | |||
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25+ |
SC-88 |
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ON |
23+ |
TSSOP |
7300 |
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ON |
24+ |
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 |
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SOT363 |
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SOT363 |
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恩XP |
24+ |
SOT-363SOT-323-6 |
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新进库存/原装 |
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ON(安森美) |
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NA |
20094 |
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