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BC857CDW1中文资料双 PNP 双极晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BC857CDW1

功能描述

双 PNP 双极晶体管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-18 12:00:00

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BC857CDW1规格书详情

描述 Description

The Dual PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-363/SC-88, which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

• Device Marking:BC856BDW1T1 = 3BBC857BDW1T1 = 3FBC857CDW1T1 = 3GBC858BDW1T1 = 3KBC858CDW1T1 = 3L
• Pb-Free Packages are Available
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

技术参数

  • 制造商编号

    :BC857CDW1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :Dual PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.3

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :45

  • VCBO (V)

    :50

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.7

  • VBE(on) (V)

    :0.6

  • hFE Min

    :420

  • hFE Max

    :800

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.38

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

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