BC857C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

厂商型号	BC857C
参数属性	BC857C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
功能描述	General Purpose Transistor
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Infineon Infineon Technologies AG
中文名称	英飞凌英飞凌科技股份公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-9 9:11:00
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BC857C规格书详情

描述 Description

PNP Silicon AF Transistors

特性 Features

·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Low noise between 30 hz and 15 kHz
·Complementary types: BC847...-BC850... (NPN)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q1011)

应用 Application

·For AF input stages and driver applications

技术参数

制造商编号
：BC857C
生产厂家
：Infineon
Polarity
：PNP (Single)
VCEO max
：45.0V
Ptot max
：330.0mW
hFE min max
：420.0 800.0
IC max
：100.0mA
IC
：100.0mA
VCBO max
：50.0V
VEBO max
：5.0V
ICM max
：200.0mA
ICBO max
：15.0nA
fT
：250.0MHz
VCE(sat) max
：0.65V
Mounting
：SMT
IBM max
：200.0mA
Package
：P-SOT23-3-3

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