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BC857CQB-Q	文件：245.2 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857CQC	文件：232.25 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857CQC-Q	文件：260.399 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857CQC-Q	文件：248.33 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistor 1.Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorinanultrasmallDFN1412D-3(SOT8009)leadlessSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEDEC NPNcomplement: BC857AQC-QBC847AQC-Q BC857BQC-QBC847	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857CRF	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC857CRFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC857CS	文件：138.77 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •GeneralPurposeAmplifierApplications •CollectorCurrentIC=-100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC857CT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857CT	文件：52.17 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-45V •IC=-100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:BC847AT,BT,CT •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC857CT	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

产品属性

产品编号：
BC857C-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3

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更多BC857C-HF供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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