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BC857CQB-Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BC857CQB-Q |
| 参数属性 | BC857CQB-Q 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK |
| 功能描述 | 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DFN1110D-3 / 3-XDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
245.2 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-9 10:06:00 |
| 人工找货 | BC857CQB-Q价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC857CQB-Q规格书详情
Features and benefits
• High power dissipation capability
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
• Smaller footprint compared to conventional leaded SMD packages
• Low package height of 0.5 mm
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
产品属性
- 产品编号：
BC857CQB-QZ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
DFN1110D-3
- 描述：
SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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