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BC857BLT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：154.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC857BLT3G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：154.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC857BL	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP 双极晶体管 The PNP Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications. • Pb-Free Packages are Available\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC857BLP4	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 45V, 0.1A, DFN1006-3	Diodes 美台半导体	Diodes
BC857BLP4Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 45V, 0.1A, DFN1006-3	Diodes 美台半导体	Diodes
BC857BL3-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-101，SOT-883；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006-3	Micro Commercial Co	Micro Commercial Co
BC857BLP4-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.1A 3DFN	DIODES 美台半导体	DIODES
BC857BLP4-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.1A 3DFN	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.3
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.6
hFE Min：
220
hFE Max：
475
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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