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BC857BLT1G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：172.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC857BLT1G	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	丝印：3F；Package：SOT-23；General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：179.58 Kbytes 页数：8 Pages	FS	FS
BC857BLT3	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC857BLT3G	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	丝印：3F；Package：SOT-23；General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：179.58 Kbytes 页数：8 Pages	FS	FS
BC857BLT3G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：172.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC857BLT3G	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC857BL3	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	丝印：3F；Package：TSLP-3-1；PNP Silicon AF Transistor 文件：887.44 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BC857BLP	文件：95.96 Kbytes Page：4 Pages	50V PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：95.96 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BC857BLP	文件：136.16 Kbytes Page：3 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：136.16 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BC857BLP_1	文件：136.16 Kbytes Page：3 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：136.16 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.3
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.6
hFE Min：
220
hFE Max：
475
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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更多BC857BL供应商更新时间2025-12-12 16:30:00

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