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BC857B	文件：164.69 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorsinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V) •AEC-Q101qualified Applications •General-purposeswitchingandamplification	ETC	ETC
BC857B	文件：247.13 Kbytes Page：6 Pages	PNPgeneralpurposeTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC857B	文件：2.47241 Mbytes Page：23 Pages	PhaseCutDimmableNon-isolatedBuckConverterforLEDRetrofitBulbwith	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857B	文件：922.79 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating –HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC857B	文件：521.809 Kbytes Page：5 Pages	PNPSmallSignalTransistor200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857B	文件：683.91 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BC857B	文件：852.79 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	OLITECHOlitech Electronics Co.,Ltd 奥力特电子奥力特电子科技有限公司	OLITECH
BC857B	文件：323.06 Kbytes Page：6 Pages	200mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC857B	文件：84.18 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC−70/SOT−323whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857B	文件：727.32 Kbytes Page：2 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
BC857AW-QX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
125 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323

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