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BC856F	文件：40.8 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. NPNcomplements:BC846F,BC847FandBC848Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC856F	文件：223.14 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
BC856F	文件：284.69 Kbytes Page：4 Pages	GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-55V •ComplementarypairwithBC846F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC856F	文件：91.67 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-55V •ComplementarypairwithBC846F	AUK AUK corp	AUK
BC856G	文件：887.81 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC856-HF	文件：163.09 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor RoHSDevice HalogenFree Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -Powerdissipation PCM:0.25W(@TA=25°C) -Lowcurrent.(max.100mA) -Collector-basevoltage VCBO:BC856=-80V BC857=-50V BC858=-30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC856-Q	文件：222.98 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Twodifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856S	文件：58.1 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistorwithgoodmatchinginonepackage •BC856S/U,BC857S:Fororientationinreelseepackageinformation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856S	文件：73.65 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC856S	文件：42.71 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

详细参数

型号：
BC856CW RF
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC856CW RF供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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