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BC856T	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC856T	文件：168.37 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyInportableequipment.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC856T	文件：352.21 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856T_SER	文件：352.2 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyinportableequipment. DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75(SOT416)plasticpackage.NPNcomplements:BC846T;BC847Tseries.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856T_SERIES	文件：352.21 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856U	文件：58.32 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistorwithgoodmatchinginonepackage •BC856S/U,BC857S:Fororientationinreelseepackageinformation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856U	文件：91.86 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-55V •ComplementarypairwithBC846U	AUK AUK corp	AUK
BC856U	文件：849.35 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856U	文件：274.84 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-55V •ComplementarypairwithBC846U	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC856U	文件：854.75 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BC856CW RF
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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