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BC856BDW	文件：940.15 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：940.15 Kbytes 页数：6 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN
BC856BDW1T1G	文件：88.63 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：88.63 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BDW1T1G	文件：123.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：123.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BDW1T1G_16	文件：88.63 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：88.63 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BDW1T3G	文件：123.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：123.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BDW1T3G	文件：88.63 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：88.63 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BLT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：154.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BLT1G	文件：444.95 Kbytes Page：17 Pages	PoE-PD Interface Controller, IEEE 802.3bt 文件：444.95 Kbytes 页数：17 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BLT3G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：154.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BM	文件：523.5 Kbytes Page：4 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors 文件：523.5 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC

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产品属性

产品编号：
BC856B
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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