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BC856BW	文件：586.99 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC856BW	文件：614.03 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC856BW	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC856BW	文件：219.62 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackage •Twodifferentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BW	文件：236.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BW-AQ	文件：125.69 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC856BW-AU	文件：151.47 Kbytes Page：6 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC856BWG	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC856BW-G	文件：151.3 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC856BWQ	文件：349.69 Kbytes Page：5 Pages	65VPNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT323 Features •BVCEO>-65V •IC=-100mAHighCollectorCurrent •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846BWQ) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.GreenDev	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
BC856B-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BC856B-QR	Nexperia USA Inc.	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多BC856B-QR供应商更新时间2025-7-24 14:21:00

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