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BC856ARF	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856ARFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856AS	文件：232.63 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AS)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC856AS	文件：542.32 Kbytes Page：6 Pages	65VDUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC856AS	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC856ASQ	文件：485.7 Kbytes Page：6 Pages	65VDUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-65V •IC=-100mAHighCollectorCurrent •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AS) •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchinga	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC856AT	文件：145.66 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor Preliminarydata •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC846T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856AT	文件：153.92 Kbytes Page：9 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC856AT	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC856AT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC856AT	文件：168.37 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyInportableequipment.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC856AT	文件：352.21 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856AT	文件：352.2 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyinportableequipment. DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75(SOT416)plasticpackage.NPNcomplements:BC846T;BC847Tseries.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856A-TP	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC856-AU	文件：372.83 Kbytes Page：6 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •GeneralPurposeAmplifierApplications •CollectorCurrentIC=-100mA •Complimentary(PNP)Devices:BC846/BC847/BC848/BC849Series •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •Greenmoldingcompo	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC856AW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC856AW	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC856AW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856AW	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC856AW	文件：544.42 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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