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BC856ARFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856AS	文件：232.63 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AS)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856AS	文件：542.32 Kbytes Page：6 Pages	65VDUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856AS	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC856ASQ	文件：485.7 Kbytes Page：6 Pages	65VDUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-65V •IC=-100mAHighCollectorCurrent •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AS) •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchinga	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856AT	文件：145.66 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor Preliminarydata •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC846T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856AT	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC856AT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC856AT	文件：168.37 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyInportableequipment.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC856AT	文件：352.21 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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