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BC856AQC-Q	文件：236.46 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856ARF	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856ARFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856AS	文件：232.63 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AS)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856AS	文件：542.32 Kbytes Page：6 Pages	65VDUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856AS	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC856ASQ	文件：485.7 Kbytes Page：6 Pages	65VDUALPNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-65V •IC=-100mAHighCollectorCurrent •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AS) •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchinga	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856AT	文件：145.66 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor Preliminarydata •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC846T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856AT	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC856AT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BC856AMTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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