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BC856AQC-Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BC856AQC-Q
厂商型号

BC856AQC-Q

参数属性

BC856AQC-Q 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3

功能描述

65 V, 100 mA PNP general-purpose transistor

丝印标识

9T

封装外壳

DFN1412D-3 / 3-XDFN 裸露焊盘

文件大小

236.46 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 20:00:00

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BC856AQC-Q规格书详情

Features and benefits

• High power dissipation capability

• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint

• Smaller footprint compared to conventional leaded SMD packages

• Low package height of 0.5 mm

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

产品属性

  • 产品编号:

    BC856AQC-QZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, BC856xQC-Q

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    125 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装,可润湿侧翼

  • 封装/外壳:

    3-XDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN1412D-3

  • 描述:

    TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3

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