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BC856ALT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC856ALT1G_16	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC856ALT3G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC856AM	文件：300 bytes Page：1 Pages	65V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor;	GalaxyGalaxy Power, Inc. 银河微	Galaxy
BC856ARF	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856ARFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856AS	文件：542.32 Kbytes Page：6 Pages	65V DUAL PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856AS	文件：127.93 Kbytes Page：3 Pages	DUAL PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC856AS_15	文件：232.63 Kbytes Page：3 Pages	DUAL PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856AS_17	文件：542.32 Kbytes Page：6 Pages	65V DUAL PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
PNP
IC (A)：
0.1 A
ICM (A)：
0.2 A
PD (W)：
0.3 W
hFE (min)：
125 Min
hFE(@ IC)：
0.002 A
hFE(@ IC2)：
N/A A
VCE (SAT)Max (mV)：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.01/0.5
VCE (SAT)(Max.2)：
650 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.1/5
fT (MHz)：
200 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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