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BC856S	文件：288.03 Kbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC856S	文件：179.68 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC856S	文件：854.75 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856S	文件：180.47 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC856S	文件：786.63 Kbytes Page：5 Pages	PNPgeneralpurposeTransistor FEATURES ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Non-Halogen ●Two(galvanic)internalisolatedTransistors withgoodmatchinginonepackage APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC856S	文件：241.71 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856S	文件：1.22229 Mbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES eTwotransistorsinonepackage eReducesnumberofcomponentsandboardspace eNomutualinterferencebetweenthetransistors	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC856S	文件：1.66334 Mbytes Page：4 Pages	DualDigitalTransistors(PNPPNP)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BC856SH	文件：233.74 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856SH-Q	文件：234.85 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC856-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
125 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB

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更多BC856-QR供应商更新时间2025-7-26 8:01:00

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