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BC856-QR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BC856S	文件：58.1 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistorwithgoodmatchinginonepackage •BC856S/U,BC857S:Fororientationinreelseepackageinformation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856S	文件：73.65 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC856S	文件：42.71 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC856S	文件：50.82 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposedoubletransistor DESCRIPTION PNPdoubletransistorinanSC-88(SOT363)plasticsixleadpackage. FEATURES •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandsmal	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC856S	文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC856S	文件：42.04 Kbytes Page：1 Pages	PNPGeneralPurposeDoubleTransistor Features •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC856S	文件：849.35 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856S	文件：468.14 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors200mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Multi-chipTransistor •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC856S	文件：488.12 Kbytes Page：2 Pages	Powerdissipation,plasticcase,Weightapprox SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

产品属性

产品编号：
BC856-QR
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
125 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC856-QR供应商更新时间2025-7-26 8:01:00

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