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BC856SH-Q中文资料安世数据手册PDF规格书

BC856SH-Q
厂商型号

BC856SH-Q

功能描述

65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose double transistor

丝印标识

7F

封装外壳

TSSOP6

文件大小

234.85 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 11:14:00

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BC856SH-Q规格书详情

Features and benefits

• Low collector capacitance

• Low collector-emitter saturation voltage

• Closely matched current gain

• Reduces number of components and board space

• No mutual interference between the transistors

• High-temperature applications up to 175 °C

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

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