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INA849	文件：3.93725 Mbytes Page：40 Pages	PGA849Low-Noise,Wide-Bandwidth,PrecisionProgrammableGainInstrumentationAmplifier 1Features •Differentialtosingle-endedconversion •Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=⅛,¼,½,1,2,4,8,and16 •Lowgainerrordrift:±2ppm/°C(maximum) •Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains –Highslewrate:35V/μsatG≥½V/V –Settlingti	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849DGKR	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849DGKR	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849DGKT	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849DR	文件：1.94382 Mbytes Page：26 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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IS849X	文件：124.81 Kbytes Page：2 Pages	OPTICALLYCOUPLEDISOLATORTRANSISTOROUTPUT	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
LBC849	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC849B	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

产品属性

产品编号：
BC849CW RFG
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323

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更多BC849CW RF供应商更新时间2025-5-28 16:30:00

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