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BC849W	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849W	文件：48.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC849W	文件：260.269 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC849W	文件：958.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC849W	文件：330.41 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC849W	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BF849	文件：82.04 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONRFTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BT849AKPF	文件：1.14923 Mbytes Page：141 Pages	Single-ChipVideoCaptureforPCI [Conexant] Bt848isacomplete,lowcostsingle-chipsolutionforanalogNTSC/PAL/SECAMvideocaptureonthePCIbus.Asabusmaster,Bt848doesnotrequireanylocalmemorybufferstostorevideopixeldatawhichsignificantlyminimizesthehardwarecostforthisarchitecture.Bt848takesa	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FZT849	文件：60.52 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36mΩat5A 7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) Verylowsaturationvoltages Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT849	文件：39.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor Features ●Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36mΩat5A. ●7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak). ●Verylowsaturationvoltages. ●Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp. ●Ptot=3Watts.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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产品属性

产品编号：
BC849CW RFG
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323

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更多BC849CW RF供应商更新时间2025-5-23 10:50:00

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