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INA849DGKT	文件：2.84141 Mbytes Page：38 Pages	INA849 Ultra-Low-Noise (1 nV/√Hz), High-Bandwidth, Instrumentation Amplifier 1 Features • Ultra-low noise: 1-nV/√Hz input voltage noise (typical) • Precision super-beta input performance: – Low offset voltage: 35 μV (maximum) – Low offset voltage drift: 0.4 μV/°C (maximum) – Low input bias current: 20 nA (maximum) – Low gain drift: 5 ppm/°C for G = 1 (maximum) • Ba 文件：2.84141 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
INA849DGKT	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	丝印：2ENJ；Package：VSSOP；INA849 Ultra-Low-Noise (1 nV/?숰z), High-Bandwidth, Instrumentation Amplifier 文件：3.28236 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
INA849DGKT.B	文件：2.84141 Mbytes Page：38 Pages	INA849 Ultra-Low-Noise (1 nV/√Hz), High-Bandwidth, Instrumentation Amplifier 1 Features • Ultra-low noise: 1-nV/√Hz input voltage noise (typical) • Precision super-beta input performance: – Low offset voltage: 35 μV (maximum) – Low offset voltage drift: 0.4 μV/°C (maximum) – Low input bias current: 20 nA (maximum) – Low gain drift: 5 ppm/°C for G = 1 (maximum) • Ba 文件：2.84141 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
INA849DGKTG4	文件：2.84141 Mbytes Page：38 Pages	INA849 Ultra-Low-Noise (1 nV/√Hz), High-Bandwidth, Instrumentation Amplifier 1 Features • Ultra-low noise: 1-nV/√Hz input voltage noise (typical) • Precision super-beta input performance: – Low offset voltage: 35 μV (maximum) – Low offset voltage drift: 0.4 μV/°C (maximum) – Low input bias current: 20 nA (maximum) – Low gain drift: 5 ppm/°C for G = 1 (maximum) • Ba 文件：2.84141 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
INA849DGKTG4.B	文件：2.84141 Mbytes Page：38 Pages	INA849 Ultra-Low-Noise (1 nV/√Hz), High-Bandwidth, Instrumentation Amplifier 1 Features • Ultra-low noise: 1-nV/√Hz input voltage noise (typical) • Precision super-beta input performance: – Low offset voltage: 35 μV (maximum) – Low offset voltage drift: 0.4 μV/°C (maximum) – Low input bias current: 20 nA (maximum) – Low gain drift: 5 ppm/°C for G = 1 (maximum) • Ba 文件：2.84141 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI

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