BC849C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BC849C |
参数属性 | BC849C 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 |
功能描述 | General Purpose Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 15:36:00 |
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BC849C规格书详情
描述 Description
NPN Silicon AF Transistors
特性 Features
·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Low noise between 30 Hz and 15 kHz
·Complementary types: BC857...-BC860...(PNP)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101 1)
· 1BC847BL3 is not qualified according AEC Q101
应用 Application
·For AF input stages and driver applications
简介
BC849C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC849C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BC849C
- 生产厂家
:Infineon
- Polarity
:NPN (Single)
- VCEO max
:30.0V
- Ptot max
:330.0mW
- hFE min max
:420.0 800.0
- IC max
:100.0mA
- IC
:100.0mA
- VCBO max
:30.0V
- VEBO max
:5.0V
- ICM max
:200.0mA
- ICBO max
:15.0nA
- F
:1.2dB
- fT
:250.0MHz
- VCE(sat) max
:0.6V
- Mounting
:SMT
- IBM max
:200.0mA
- Package
:P-SOT23-3-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOT323-3 |
25000 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOT323-3 |
6000 |
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询价 | ||
INF |
23+ |
123 |
询价 | ||||
PHI |
2005 |
SOT23-3 |
79 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
SOT323-3 |
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INFINEON/DIODES |
23+ |
SOT23-3 |
63000 |
原装正品现货 |
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23+ |
原包装原封 □□ |
130586 |
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