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BC849C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BC849C

参数属性

BC849C 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

功能描述

General Purpose Transistor
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 15:36:00

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BC849C规格书详情

描述 Description

NPN Silicon AF Transistors

特性 Features

·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Low noise between 30 Hz and 15 kHz
·Complementary types: BC857...-BC860...(PNP)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101 1)
· 1BC847BL3 is not qualified according AEC Q101

应用 Application

·For AF input stages and driver applications

简介

BC849C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC849C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BC849C

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Polarity 

    :NPN (Single)

  • VCEO max

    :30.0V

  • Ptot max

    :330.0mW

  • hFE min max

    :420.0 800.0

  • IC max

    :100.0mA

  • IC 

    :100.0mA 

  • VCBO max

    :30.0V

  • VEBO max

    :5.0V

  • ICM max

    :200.0mA

  • ICBO max

    :15.0nA

  • :1.2dB 

  • fT 

    :250.0MHz 

  • VCE(sat) max

    :0.6V

  • Mounting 

    :SMT

  • IBM max

    :200.0mA

  • Package 

    :P-SOT23-3-3

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