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BC849BL中文资料NPN 双极晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BC849BL

参数属性

BC849BL 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

功能描述

NPN 双极晶体管
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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BC849BL规格书详情

描述 Description

The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.

特性 Features

• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V
• Pb-Free Packages are Available
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

应用 Application

• ESD Protection
• Polarity Reversal Protection
• Data Line Protection
• Inductive Load Protection
• Steering Logic

简介

BC849BL属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC849BL晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BC849BL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.25

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :30

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :0.7

  • VBE(on) (V)

    :0.66

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :450

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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