BC849B数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

描述 Description

NPN Silicon AF Transistors

特性 Features

·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Low noise between 30 Hz and 15 kHz
·Complementary types: BC857...-BC860...(PNP)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101 1)
· 1BC847BL3 is not qualified according AEC Q101

应用 Application

·For AF input stages and driver applications

简介

BC849B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BC849B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。